تصنيع مادة نتريد الغاليوم GaN بواسطة الزرع الأيوني بطاقة عالية

Authors

  • عبد الوهاب قعقع

Abstract

Dans ce travail nous rapportons une nouvelle technique pour produire le GaN, à savoir la synthèse par implantation ionique d' azote dans un substrat de GaAs.

Les substrats de GaAs (001) semi isolants ont été implantés à une dose de 3*1017 cm-2

(de 3*1017 N+/cm2) à 50 keV, ensuite recuits classiquement à 950 °C pendant 30 min sous un flux d' argon. Les caractérisations structurales par TEM ont permis de confirmer la présence d' une couche cristalline de profondeur de 100 nm de β-GaN épitaxiée sur GaAs. avec une relation d'épitaxie parfaite.

La croissance a été formée dans la phase métastable (β-GaN), la réalisation de la phase hexagonale classique semble être possible par la modification des conditions du traitement thermique.

سوف نستعرض في هذا العمل تقنية جديدة لإنتاج مادة نتريد الغاليوم GaN، المغايرة لتقنيّات الانتشار (Diffusion)، ألا وهي تقنية التركيب بواسطة الزرع الأيوني (Implantation Ionique)للآزوت ضمن ركيزة (Substrat) من مركَّب زرنيخ الغاليوم GaAs. لقد تمّ زرع بضع ركائز من الـ GaAs ذوات الاتجاه البللوري (0 0 1) نصف العازلة بجرعة أيونات من الآزوت قدرها  (أي: ) طاقتها ، ثم شيِّها في فرن كلاسيكي بدرجة حرارة  لمدة ثلاثين دقيقة ضمن جو من غاز الأرغون الخامل. وقد سمح التوصيف البنيوي بواسطة الـ T. E. M (Microscopie Electronique en Transmission) بالتأكيد على وجود طبقة متبلورة من الـ عمقها 100nm متنضِّدة  (épitaxiée) على ركيزة الـ GaAs بعلاقة تنضّد (épitaxie) تامة. إن عملية النموّ (La croissance) البلّلوري كانت قد تشكلت في طورها المكعّب شبه المستقر ، كما أن إنجاز الطّور السداسي المستقر الكلاسيكي يبدو أنه ممكن من خلال تغيير شروط المعالجة الحرارية.

Downloads

Published

2018-12-06

How to Cite

1.
قعقع عا. تصنيع مادة نتريد الغاليوم GaN بواسطة الزرع الأيوني بطاقة عالية. TUJ-BA [Internet]. 2018Dec.6 [cited 2025Apr.3];32(3). Available from: https://journal.tishreen.edu.sy/index.php/bassnc/article/view/5191

Issue

Vol. 32 No. 3 (2010): العلوم الأساسية

Section

Articles

License

Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International License.

The authors retain the copyright and grant the right to publish in the magazine for the first time with the transfer of the commercial right to the Tishreen University Journal -Basic Sciences Series  

 Under a CC BY- NC-SA 04 license that allows others to share the work with of the work's authorship and initial publication in this journal. Authors can use a copy of their articles in their scientific activity, and on their scientific websites, provided that the place of publication is indicted in Tishreen University Journal -Basic Sciences Series .  The Readers have the right to send, print and subscribe to the initial version of the article, and the title of Tishreen University Journal -Basic Sciences Series   Publisher

 

journal uses a CC BY-NC-SA license which mean

You are free to:

  • Adapt — remix, transform, and build upon the material
  •  
  • The licensor cannot revoke these freedoms as long as you follow the license terms.

 

  • Attribution — You must give appropriate credit, provide a link to the license, and indicate if changes were made. You may do so in any reasonable manner, but not in any way that suggests the licensor endorses you or your use.
  • NonCommercial — You may not use the material for commercial purposes.
  • ShareAlike — If you remix, transform, or build upon the material, you must distribute your contributions under the same license as the original.
  • No additional restrictions — You may not apply legal terms or technological measures that legally restrict others from doing anything the license permits.