العيوب في الأفلام الرقيقة من النوع ZnO المنماة بطريقة الترسيب الذري الطبقي

Authors

  • نبيل متوج

Abstract

In the present paper, we discuss the influence of point defects on electrical and optical characteristics of ZnO thin films grown by the atomic layer deposition (ALD) method on glass and silicon substrates at low temperature (100°C). Room temperature photoluminescence (RT PL) spectra, secondary ion mass spectroscopy (SIMS), and Hall Effect measurements were made for as-grown ZnO layers. The annealing process was performed in air as well as in N2 atmosphere at 400°C for half an hour. The long annealing resulted in a larger reduction in electron concentration. Simultaneously, an evident increase in carrier's mobility was observed, which may suggest that annealing resulted in a decreased number of native defects in the ZnO layers. Also, it was observed that hydrogen atoms in ZnO samples did not dominate their electrical properties with the increase of electrons concentration نناقش في هذا البحث، تأثير العيوب النقطية على الخصائص الكهربائية والضوئية لأفلام رقيقة من أكسيد الزنك تم تنميتها بطريقة الترسيب الذري الطبقي على ركائز من الزجاج والسيلكون عند درجة حرارة منخفضة (100°C). أنجزت قياسات أطياف التألق الضوئي عند درجة حرارة الغرفة، والأطياف الكتلوية الأيونية الثانوية، وقياسات مفعول هول لطبقات من أكسيد الزنك. أجريت عملية التسخين عند درجة حرارة400 °C لعينة ZnO المنماة على ركيزة من الزجاج في الهواء وفي جو من الأزوت N2 لمدة نصف ساعة. إن التسخين الطويل يؤدي إلى اختزال كبير لتركيز الإلكترونات، وفي نفس الوقت، نلاحظ زيادة واضحة في حركية حاملات الشحنة، الذي قد يؤدي إلى انخفاض عدد العيوب الأصلية في طبقات أكسيد الزنك. لوحظ أيضا أن ذرات الهيدروجين في عينات أكسيد الزنك لا تسيطر على الخصائص الكهربائية بازدياد تركيز الإلكترونات.

Downloads

Published

2016-08-29

How to Cite

1.
متوج ن. العيوب في الأفلام الرقيقة من النوع ZnO المنماة بطريقة الترسيب الذري الطبقي. Tuj-eng [Internet]. 2016Aug.29 [cited 2024Apr.26];37(3). Available from: https://journal.tishreen.edu.sy/index.php/engscnc/article/view/1898

Issue

Vol. 37 No. 3 (2015): العلوم الهندسية

Section

Articles

License

Copyright (c) 2016 ttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/

Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International License.

The authors retain the copyright and grant the right to publish in the magazine for the first time with the transfer of the commercial right to Tishreen University Journal for Research and Scientific Studies - Engineering Sciences Series

 Under a CC BY- NC-SA 04 license that allows others to share the work with of the work's authorship and initial publication in this journal. Authors can use a copy of their articles in their scientific activity, and on their scientific websites, provided that the place of publication is indicted in  Tishreen University Journal for Research and Scientific Studies - Engineering Sciences Series   .  The Readers have the right to send, print and subscribe to the initial version of the article, and the title of  Tishreen University Journal for Research and Scientific Studies - Engineering Sciences Series     Publisher

journal uses a CC BY-NC-SA license which mean

You are free to:

  • Adapt — remix, transform, and build upon the material
  •  
  • The licensor cannot revoke these freedoms as long as you follow the license terms.

 

  • Attribution — You must give appropriate credit, provide a link to the license, and indicate if changes were made. You may do so in any reasonable manner, but not in any way that suggests the licensor endorses you or your use.
  • NonCommercial — You may not use the material for commercial purposes.
  • ShareAlike — If you remix, transform, or build upon the material, you must distribute your contributions under the same license as the original.
  • No additional restrictions — You may not apply legal terms or technological measures that legally restrict others from doing anything the license permits.