ملاءمة وصلاحية الكواشف من النوع Ga-As من أجل التصوير بأشعة X
Abstract
The rate of indirect photon-electron conversion for scintillator materials coupled with arrays of photodiodes is at least 25 times smaller than the rate of direct conversion. We examine the conditions to be fulfilled by semiconductors undergoing such direct conversion to be applied to X-ray imaging. Bulk grown materials are not well-suited to this application because large defect concentrations give rise to strongly non-uniform electronic properties. We argue that epitaxial layers are suitable for use as imaging devices and we illustrate our argument using the case of thin epitaxial GaAs layers. Detectors made with such layers exhibit a good energy resolution, and a charge collection efficiency which approaches one.
إن نسبة التحويل غير المباشر لـ "فوتون – الكترون" في المواد الوميضية – المقرونة بترتيب معين لثنائيات ضوئية أقل بحوالي 25 مرة من نسبة التحويل المباشر. وسوف نتفحص الشروط التي يجب أن تتوفر في أنصاف النواقل عند خضوعها لظاهرة التحويل المباشر، وذلك عند استخدامها للتصوير بواسطة أشعة x.
إن الصفائح المتوفرة من المركب Ga-As غير ملائمة لهذا النوع من التطبيقات، بسبب ارتفاع كثافة العيوب التي تؤدي إلى عدم انتظام في خواصها الالكترونية.
وسوف نحاول أن نبرهن على أن الكواشف، من نوع Ga-As التي تعتمد صناعتها على تقنية التنضيد، أي توضع الطبقات فوق بعضها البعض بالتبخر هي الطريقة الوحيدة الملائمة للاستخدام في أجهزة التصوير بأشعة X، وسندعم حجتنا هذه باستخدام طبقات رقيقة من المركب Ga-As. وتظهر الكواشف المصنعة من مثل هذه الطبقات الرقيقة ميز عالي للطاقة، ومردود وتجميع شحنة فعلية قريب من الواحد.
Downloads
Published
How to Cite
Issue
Section
License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International License.
The authors retain the copyright and grant the right to publish in the magazine for the first time with the transfer of the commercial right to the Tishreen University Journal -Basic Sciences Series
Under a CC BY- NC-SA 04 license that allows others to share the work with of the work's authorship and initial publication in this journal. Authors can use a copy of their articles in their scientific activity, and on their scientific websites, provided that the place of publication is indicted in Tishreen University Journal -Basic Sciences Series . The Readers have the right to send, print and subscribe to the initial version of the article, and the title of Tishreen University Journal -Basic Sciences Series Publisher
journal uses a CC BY-NC-SA license which mean
You are free to:
- Share — copy and redistribute the material in any medium or format
- Adapt — remix, transform, and build upon the material
- The licensor cannot revoke these freedoms as long as you follow the license terms.
- Attribution — You must give appropriate credit, provide a link to the license, and indicate if changes were made. You may do so in any reasonable manner, but not in any way that suggests the licensor endorses you or your use.
- NonCommercial — You may not use the material for commercial purposes.
- ShareAlike — If you remix, transform, or build upon the material, you must distribute your contributions under the same license as the original.
- No additional restrictions — You may not apply legal terms or technological measures that legally restrict others from doing anything the license permits.