مقاومة الثنائيات الليزيرية GaAs/GaAlAs من نوع فكسل (VCSELs) للإشعاعات

Authors

  • جبور جبور
  • م زازوي
  • ج.ك. بورغوان
  • و جيرارد

Abstract

A series of electron irradiations of GaAs/GaAlAs Vertical Cavity Surface Emitting Lasers (VCSELs), containing several GaAs quantum wells, has been carried out for the purpose of assessing the suitability of these devices for space applications. The irradiations were performed at energy of 1 MeV. Current versus voltage (I-V) and Light intensity versus current (Light intensity-I) characteristics were measured before and after each irradiation step. The current threshold of VCSEL is shown to be the only important parameter modified by a high fluence irradiation. Changes in the threshold current show radiation generated recombination centers to be the main cause of degradation. This study will allow to understand why quantum well structures based Lasers or Laser Emitting Detectors (LEDs) are more radiation resistante than those which use a classical junction as active layer. It will also allow to predict simply the degradation induced by proton and (or) electron irradiations for any device based on such structures.

تم تعريض ثنائيات (ديودات) ليزيرية من نوع (VCSELs) مصنوعة من GaAs/GaAlAs، حيث تعتمد في تركيبها على الآبار (الحفر) الكوانتية ، لسلسة من الإشعاعات الإلكترونية، وذلك لمعرفة مدى مقاومتها لهذه الإشعاعات عند استخدامها في التطبيقات الفضائية (على سبيل المثال في الأقمار الاصطناعية والمركبات الفضائية). إن طاقة هذه الإشعاعات كانت 1 ميغا إلكترون فولط (1MeV). لقد تم قياس تغير التيار بتابعية الكمون (الجهد) المطبق على هذه الثنائيات (I-V)، وشدة الضوء الصادر عن هذه الثنائيات بتابعية التيار (Light intensity-I) وذلك قبل وبعد تعرض هذه الثنائيات للإشعاعات. لقد تبين أن تيار العتبة هو أهم مقدار يتغير نتجية زيادة مقدار جرعة الإشعاعات التي تتعرض لها هذه الثنائيات. ولاحظنا أن السبب الأساسي في تلف هذه الثنائيات يتمثل بتغير تيار العتبة الذي سببه تولد مراكز إعادة ارتباط. إن هذه الدراسة سمحت بفهم آلية عمل هذا النوع من الثنائيات، وتم استنتاج أن هذه الثنائيات أكثر مقاومة للإشعاعات وأكثر فعالية (خاصة بالنسبة لتيار الإصدار الضوئي) من الثنائيات الكلاسيكية (التي لا تعتمد في تركيبها على الآبار الكوانتية). وأيضاً، فإن هذه الدراسة تسمح بالتوقع والتنبؤ بنسبة تلف أي نوع من العناصر الإلكترونية التي تعتمد في تركيبها على الآبار الكوانتية، في حال تعرضها لإشعاعات كالإلكترونات والبروتونات.

 

Downloads

Published

2018-12-03

How to Cite

1.
جبور ج, زازوي م, بورغوان ج, جيرارد و. مقاومة الثنائيات الليزيرية GaAs/GaAlAs من نوع فكسل (VCSELs) للإشعاعات. TUJ-BA [Internet]. 2018Dec.3 [cited 2024Nov.24];25(3). Available from: https://journal.tishreen.edu.sy/index.php/bassnc/article/view/4952

Issue

Vol. 25 No. 3 (2003): العلوم الأساسية

Section

Articles

License

Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International License.

The authors retain the copyright and grant the right to publish in the magazine for the first time with the transfer of the commercial right to the Tishreen University Journal -Basic Sciences Series  

 Under a CC BY- NC-SA 04 license that allows others to share the work with of the work's authorship and initial publication in this journal. Authors can use a copy of their articles in their scientific activity, and on their scientific websites, provided that the place of publication is indicted in Tishreen University Journal -Basic Sciences Series .  The Readers have the right to send, print and subscribe to the initial version of the article, and the title of Tishreen University Journal -Basic Sciences Series   Publisher

 

journal uses a CC BY-NC-SA license which mean

You are free to:

  • Adapt — remix, transform, and build upon the material
  •  
  • The licensor cannot revoke these freedoms as long as you follow the license terms.

 

  • Attribution — You must give appropriate credit, provide a link to the license, and indicate if changes were made. You may do so in any reasonable manner, but not in any way that suggests the licensor endorses you or your use.
  • NonCommercial — You may not use the material for commercial purposes.
  • ShareAlike — If you remix, transform, or build upon the material, you must distribute your contributions under the same license as the original.
  • No additional restrictions — You may not apply legal terms or technological measures that legally restrict others from doing anything the license permits.

Most read articles by the same author(s)

<< < 1 2